在探讨四探针测试电阻的原理时，我们发现这种方法在表征金属、半导体等低电阻率材料的方阻、电阻率、电导率等方面具有广泛应用。

其核心在于使用四根等间距排列的探针，其中外侧两个探针负责传输电流，内侧两个探针则用于测量电压。

通过恒流源输出电流 I，流经样品后通过探针 4 流出，形成电流回路。同时，探针 2 和 3 连接电压表，测量探针两端的电压，形成电压回路。

这种方法巧妙地通过电流激励和电压测量不共用探针，而是由各自的一对探针形成回路，有效规避了导线电阻、探针电阻以及探针与材料的接触电阻的影响，因此相较于两探针法，测量精度更高，适用范围更广。

在测量薄圆片（厚度≤4mm）电阻率时，四探针法的计算公式为：ρ=V/I×F（D/S）×F（W/S）×W×Fsp，其中 D 为样品直径，S 为平均探针间距，W 为样品厚度，Fsp 为探针间距修正系数，F（W/S）为样品厚度修正因子，I 为 1、4 探针流过的电流值，V 为 2、3 探针间取出的电压值。

四探针法相较于两探针法，在测量半导体电阻时具有明显优势。

两探针法多用于大电阻和精度要求不高的情况，而对于小电阻测量，尤其是半导体电阻测量，由于金属与半导体材料之间功函数的差异会形成一定厚度的耗尽层，导致测到的电阻值远高于半导体实际的电阻值。

而四探针法则通过避免电流源和电压表共用探针，降低了附加电阻的影响，提高了测量的精度和准确性。

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